隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接數(shù)高速增長，低功耗廣域物聯(lián)網(wǎng)（LPWAN-IOT）行業(yè)或?qū)⒂瓉肀l(fā)式增長。在低功耗廣域網(wǎng)絡(luò)（LPWAN）的相關(guān)技術(shù)中，最引人注目的就是NB-IoT以及LoRa。近日，LoRa技術(shù)巨頭

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，人們逐漸將目標轉(zhuǎn)向了尋找Si以外新一代的半導(dǎo)體材料。在這個過程中，GaN近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料的代表，由于禁

近日，安森美半導(dǎo)體舉辦了線上年終媒體溝通會，總結(jié)了在2020年這個特殊年份，安森美半導(dǎo)體取得的成就和對接下來的展望。安森美半導(dǎo)體公司戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo稱，2020年的疫

無線充電，這一技術(shù)想必人們早已不再陌生，不需要使用電線，不需要頻繁插拔充電線，給人們的生活帶來非常大的便利。隨著無線充電標準的統(tǒng)一、技術(shù)的成熟和市場的推廣，設(shè)備通用性和兼容性問題也逐步解決，無線充電技

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，以SiC和GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到關(guān)注。與傳統(tǒng)硅工藝相比，SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)更優(yōu)的導(dǎo)熱性、更高的開關(guān)速率、更低導(dǎo)通電阻（RDS）以及更小的器件物